南京大學實驗室已得到的介電常數低于2.0的高性能材料，在該領域處于國內領先水平，已申請發明專利2項（專利申請號：00410044831.5，200510037695.1），產業化前景廣闊。

  

        隨著集成電路特征尺寸的逐漸減小，超低介電常數絕緣介質材料可應用于大規模集成電路、在CPU生成中替代傳統Si02以及其他現有低介電薄膜，可十分有效地減少發熱和延遲。 我校獲得的該超低介電常數的納米孔氧化硅薄膜材料優點顯著：
     1、介電常數低與2.0；
     2、薄膜中的納米微孔分布均勻；
     3、薄膜中的微孔大小尺寸可調；
     4、薄膜的剛性、柔性可調控；  
     5、薄膜電學性質穩定；
     6、與硅片的粘附性好。