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高K前驅體材料
來源: | 作者:pro60c309 | 發布時間: 2016-10-31 | 10024 次瀏覽 | 分享到:

信息技術發展的程度和水平已經成為衡量一個國家高技術發展水平的主要標志之一,以集成電路為代表的微電子技術是信息技術和產業的核心和基礎。但當器件到了32nm以下技術代時,硅材料的漏電問題將變得十分突出,解決這一問題的辦法就是使用高K柵介質和金屬柵極,以替代原來的硅材料。我國實際已經成為全球最大的地區性集成電路市場,但缺少具有自主知識產權的關鍵材料和核心技術。

針對32-22nm以下技術節點記大規模集成電路CMOS技術需要,解決硅材料的漏電流問題,開發具有自主知識產權的高K前軀體及其合成工藝,制備出幾種性能優良的用于32-22nm CMOS器件柵介質、RF電路無源MIM器件以及先進存儲器的高K材料,并實現其產業化,奠定以集成電路為代表的微電子技術的迅猛發展。


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